РЕНЕССАНС АНАЛОГОВЫХ ИС - АНАЛОГОВЫЕ СХЕМЫ НЕ СДАЮТСЯ И НЕ ПОГИБАЮТ
←
→
Транскрипция содержимого страницы
Если ваш браузер не отображает страницу правильно, пожалуйста, читайте содержимое страницы ниже
ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ
М. Валентинова
РЕНЕССАНС АНАЛОГОВЫХ ИС
АНАЛОГОВЫЕ
АНАЛОГОВЫЕ СХЕМЫ
СХЕМЫ НЕ
НЕ СДАЮТСЯ
СДАЮТСЯ И
И НЕ
НЕ ПОГИБАЮТ
ПОГИБАЮТ
Многие годы бытовало расхожее мнение,
что цифровые ИС уже скоро, ну вотвот,
полностью вытеснят в радиоэлектронном
оборудовании аналоговые устройства.
Сначала их должны были заменить ТТЛ
схемы, затем микропроцессоры, потом
специализированные ASICсхемы, а те
перь процессоры цифровой обработки
сигнала (DSP). Каждый новый класс ИС
заменял множество аналоговых схем и чений нужны аналоговые схе фрагментированный рынок. Но
угрожал покончить с ними навсегда. Но мы. Поэтомуто, несмотря на если наши недостатки – про
мнение, что аналоговая техника должение наших достоинств, то
по Марку Твену, “слухи о смерти анало “громоздка” и устарела, ее роль возможно и обратное. Недо
говых ИС оказались сильно преувеличен непрерывно растет. И сегодня в статки оборачиваются положи
новейших моделях сотовых те тельными факторами для
ными”. И об этом свидетельствуют по лефонов аналоговых ИС ис фирм, специализирующихся в
следние публикации, а также доклады пользуется больше (на сумму в области аналоговых устройств,
25 долл.), чем в моделях пре позволяя им противостоять
на Международных конференциях IEDN дыдущих поколений. вторжению на рынок конкурен
и ISSCC, посвященные новейшим разра По прогнозам фирмы тов и оправдывать высокую
Dataquest, объем продаж анало стоимость своей продукции. В
боткам аналоговых ИС для оптоволокон говых схем в 1999 году должен результате сектор аналоговых
ных систем связи со скоростью передачи был составить 24,4 млрд. долл., ИС с высокими характеристика
что на 15,2% больше, чем в ми – самый доходный на рынке
до 40 Гбит/с, сотовых систем связи, разно 1998м (21,1 млрд. долл.). К полупроводниковых приборов.
образных преобразователей данных. 2003 году аналоговых схем бу Большинство экспертов делят
дет продано на сумму 39 млрд. рынок аналоговых ИС на два
долл. (при среднегодовых тем крупных сектора: стандартных
пах прироста 13%). Такие пер схем и стандартных схем специ
Ч ем больше функций реали
зует чип, чем меньше его
потребляемая мощность, тем
по мере распространения ком
пьютеров, сети Интернет,
средств беспроводной связи,
спективы роста продаж при
влекли внимание многих полу
проводниковых фирм, которые
ального назначения (ASSPтипа).
Темпы прироста и объем продаж
ИС ASSPтипа выше, чем стан
ниже стоимость системы и тем высокопроизводительных циф увеличивают объем инвестиций дартных, но доходы от их реали
больше спрос на цифровую тех ровых чипов потребность в ана в строительство и приобрете зации ниже. Тем не менее, сего
нику. И что тогда? А тогда раз логовых ИС лишь растет. А все ние новых подразделений, ра дня даже крупным диверсифи
работчик начинает искать ана потому, что мы живем в анало ботающих в этой области. цированным компаниям, таким
логовые устройства, т.е., как говом мире, где температура, Но фирмы, производящие как National Semiconductor, Texas
сказал вицепрезидент группы скорость, давление, громкость аналоговые ИС, сталкиваются с Instruments, STMicroelectronics,
аналоговых схем фирмы Natio звука, яркость цвета и даже многочисленными неординар трудно проникнуть в ниши рын
nal Semiconductor Патрик Бро электрическое напряжение ме ными проблемами. Это и чрез ка, контролируемые небольшими
кетт, “чем больше аналоговых няются непрерывно, а не скач вычайно сложная технология, фирмами, выпускающими анало
функций удается реализовать кообразно с 1 на 0 и обратно. И мало пригодная для масштаби говые схемы ASSPтипа, у кото
цифровыми ИС, тем лучше для хотя эти непрерывные измене рования и применения элек рых одно, единственное назна
аналоговых схем”. Ирония раз ния можно преобразовать в ци тронных средств проектирова чение, но множество потребите
вертывающейся цифровой ре фровой вид, для этого, а также ния, и нехватка квалифициро лей. Однако эта ситуация может
волюции заключается в том, что для точного измерения их зна ванных специалистов, и сильно измениться. Рынок стандартных
ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2/2000 22
аналоговых устройств, хотя и готовления комплекта SiGe ИС Следует отметить, что крем консервативным нормам: шири
формируется несколько лет, от была положена заимствованная нийгерманиевая технология на эмиттеров биполярных тран
личается высокой стабильностью у фирмы IBM хорошо отрабо привлекает внимание разработ зисторов – 0,25 мкм, мини
(жизненный цикл стандартных танная 0,5мкм КМОПтехноло чиков компонентов не только мальные размеры элементов
приборов достигает нескольких гия, а не уникальный заказной для оборудования сетевых сис КМОПтранзисторов на напря
лет, тогда как для некоторых процесс, требующий сложных тем, но и беспроводных систем жение 3 В – 0,35 мкм. Такой
ASSP ИС он не превышает года). технических приемов и боль связи и глобальной системы выбор объясняется тем, что ра
И даже ведущий производитель ших затрат. По данным фирмы, позиционирования GSP. В кон бочая частота 3Gсистем соста
аналоговых ИС ASSPтипа – выход годных при производстве це 1999 года было выпущено вит около 2,5 ГГц, что и позво
Texas Instruments – прикладыва комплекта SiGe ИС превысил несколько новых SiGeизделий ляет изготавливать приборы для
ет значительные усилия к завое 90%. Производительность со фирм Texas Instruments, RF них с относительно “консерва
ванию прочных позиций в секто ставила 1000 пластин диамет Micro Devices, Lucent Technolo тивными” топологическими нор
ре стандартных аналоговых ИС. ром 200 мм в день. Это значит, gies, Maxim Integrated Products мами. К тому же, такие нормы
Тенденция к усилению роли что инвестиции, опыт и резуль и Conexant. На фирме Texas позволяют обеспечить достаточ
аналоговых ИС в современном таты развития кремниевой тех Instruments разработана соб но низкие потребляемую мощ
связном, сетевом, бытовом, нологии можно успешно ис ственная БиКМОП SiGeтехно ность и цену. Технологический
промышленном оборудовании пользовать для реализации ха логия – RFSiGe1. При разра процесс фирмы хорош и тем,
нашла отражение в материалах, рактеристик, ранее не дости ботке SiGeсхем, предназначен что с его помощью можно объе
представленных на 47й Между жимых с ее помощью. Таким ных для телефонных аппаратов динять активные ВЧ и пассив
народной конференции ISSСС, образом, Alcatel доказала ком
проходившей под девизом “ИС мерческую жизнеспособность
для систем 21го века”. SiGeтехнологии. Важное до
Доклады на секции ISSСС, стоинство новых схем – необы
посвященной средствам связи чайно низкая интенсивность от
гигагерцового диапазона, пока казов по битам: 1 ошибка по
зали перспективность кремний битам в 6.109 лет. Фирма также
германиевых и специальных сообщила об успешных эксплу
БиКМОПустройств для постро атационных испытаниях в Гер
ения приемников и мультиплек мании и Португалии двух ОС
соров/демультиплексоров со 768 систем (скорость передачи
временных оптоволоконных сис 40 Гбит/с). С помощью ком
тем ОС192, рассчитанных на плекта опытных SiGeчипов, из
скорость передачи 10 Гбит/с. готовленных на линии по про
Эти ИС наиболее полно отвеча изводству ИС для ОС192 сис Рис. 1.Схема и зависимость коэффициента усиления
ют современным требованиям тем, фирма осуществила пере от частоты усилителя&ограничителя фирмы Hitachi
увеличения пропускной способ дачу со скоростью 40 Гбит/с по
ности следующего поколения протяженному одномодовому сотовых и беспроводных систем ные компоненты. По оценкам
средств связи, создания ВЧ оптическому волокну. связи следующих 2,5 и 3Gпо разработчиков, плотность раз
приборов, генерирующих высо Эти факторы наряду с высо колений, Texas Instruments не мещения резисторов в схеме
кокачественный сигнал при кими характеристиками SiGe использовала технологию фир увеличена в четыре, конденса
меньшей, чем у современных устройств и стимулировали ин мы IBM, а начала с “чистого ли торов – в три и элементов ин
устройств, потребляемой мощ терес промышленности к новой ста”, поставив перед собой за дуктивности – в два раза. Запа
ности и объединяющих на од технологии. Так, внимание уча дачу сократить число компонен тентованный фирмой процесс
ном кристалле активные и пас стников ISSCC привлекло сооб тов при обеспечении достаточ изготовления, по сравнению со
сивные компоненты. И неуди щение исследователей фирмы но низкой стоимости и сохране стандартной технологией, тре
вительно, что SiGeтехнологию Hitachi о разработке пригод нии “дедушкиных” параметров бует пять дополнительных эта
осваивает не только ее созда ного для промышленного про устройств первого и второго пов маскирования. Он предус
тель – фирма IBM*, но и мно изводства технологического поколений. Это означало, что матривает применение стан
гие крупнейшие производители процесса селективного эпитак чип должен поддерживать ра дартного оборудования обра
чипов для средств связи. сиального выращивания само боту в различных стандартах ботки пластин диаметром 200
В 1998 году Alcatel (Фран совмещенных кремнийгерма связи, передачу сообщений мм и метода молекулярнопуч
ция) объявила о коммерческой ниевых пленок. С помощью электронной почты, видеосиг ковой эпитаксии (а не процесса
реализации новейшей SONET этого процесса был изготовлен налов, МР3музыкальных фай химического осаждения из па
системы ОС192, построенной усилительограничитель на ба лов. Возможно, он найдет при ровой фазы при ультравысоком
на базе SiGeчипов первого по зе SiGe НВТ с коэффициентом менение и в будущих телефон вакууме фирмы IBM). Разрабо
коления. В основу процесса из усиления 31,9 дБ на 40 ГГц и ных трубках, в которых будут танная технология может быть
шириной полосы 49 ГГц. По объединены функции телефон использована и для изготовле
* Валентинова М. SiGeтехнология – про требляемая мощность схемы ного аппарата и МР3плейера. ния ИС для кабельных модемов.
цесс пошел.– Электроника: Наука, Техно 1,38 В, напряжение питания – Первое поколение схем Частота отсечки SiGeтран
логия, Бизнес, 1998, №5–6,с.25–28. 7,5 В (рис.1). спроектировано по достаточно зисторов превышает 50 ГГц.
23 ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2/2000ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ Но пока оптимальная с точки партии более 10000 шт. Сейчас схемы или применять внешние процесс фирмы позволяет од зрения потребляемой мощнос на фирме RF Micro Devices ве компоненты). новременно изготавливать ти и цены частота отсечки рав дется разработка SiGeтрехре По разработанной модуль SiGeтранзисторы на напряже на 25 ГГц. Это на порядок вы жимного двухдиапазонного ма ной SiGe БиКМОПтехнологии ние 3,3 и 5 В без дополнитель ше рабочей частоты современ лошумящего усилителя/смесите фирма планирует изготавли ной операции маскирования. ных телефонов цифровых сото ля для ВЧблоков CDMA/TDMA, вать устройства для оборудова Частота отсечки транзисторов вых и беспроводных систем PSC, WCDMA систем, а также ния сетей SONET и SDH, обес опытных схем составляет связи. Потребляемый ток на SiGeмодулятора, повышающе печивающих скорость передачи 50 ГГц при напряжении 3,3 В частоте 25 ГГц не превышает го преобразователя частоты и 10 Гбит/с и выше. Это – управ и 70 ГГц при 2,5 В, тогда как 20 мкА. Напряжение питания предусилителя мощности. ляемый током усилитель на потребляемая ими мощность в равно 1,8 В, хотя возможен и Исследователи отделения пряжения, синтезатор частоты, два раза меньше, чем у конку вариант на напряжение 1,5 В. Bell Labs фирмы Lucent Tech мультиплексор, демультиплек рирующих устройств, предназ Кроме того, за счет модифика nologies успешно объединили сор, устройство восстановле наченных для беспроводных ции монтажных площадок раз биполярные SiGeтранзисторы с ния синхронизации и данных. систем связи на 2 ГГц. Новые работчики фирмы сумели сни КМОПэлементами, изготавли Разработчики отмечают при ВЧчипы найдут применение в зить коэффициент шума транзи ваемыми по 0,25мкм техноло годность новой технологии и телефонных трубках и термина сторов до менее 0,5 дБ на 2 ГГц гии. С помощью четырех допол для изготовления приборов для лах беспроводных систем свя и тем самым обеспечить конку нительных этапов маскирования быстродействующих проводных зи. Сейчас фирма работает над рентоспособность новых SiGe (в том числе при проведении и беспроводных систем связи. созданием SiGeчипа на боль устройств с арсенидгаллиевы ми приборами. SiGeсхемы, разработанные для двух круп ных поставщиков сотовых теле фонов, первоначально будет выпускать завод фирмы при Центре Килби, а затем произ водство передадут на предпри ятие в Далласе, где во второй половине 2000 года планирует ся освоить массовое производ ство таких ИС. Кроме того, фирма намерена выпускать SiGeсхем в Фрейзинге (ФРГ) и в Японии. Первый шаг в освоении SiGeтехнологии сделала фир ма RF Micro Devices, выпус тившая высокочастотный блок приемника – малошумящий Рис. 2. Блок&схема трансивера стандарта Bluetooth усилитель/понижающий высокоэнергетической ионной Поставки опытных образцов шую частоту для оборудования преобразователь частоты на имплантации для формирования SiGe ИС фирма планирует на систем SONET. 900 МГц – предназначенный подколлекторной области), вве чать во втором квартале 2000 Продолжает разработки для сотового оборудования, ра денных в основной КМОПпро года, а массовое производство SiGeаналоговых схем и гер ботающего в режиме кодового цесс, специалистам фирмы уда – в конце года. В 2001 году манская фирма Temic разделения каналов/частотной лось создать SiGe npnтранзи фирма освоит SiGeтехнологию Semiconductor, одна из пер модуляции (CDMA/FM). Усиле стор с суперсамосовмещенной с 0,16мкм топологическими вых в Европе освоившая эту ние схемы типа RF2461 дис структурой. Благодаря сниже нормами. технологию. Еще на ISSCC кретно регулируется в диапа нию сопротивления базы и ем В середине 2000 года фир 1999 года она представила зоне 30 дБ. Для регулирования кости база–коллектор его час ма Conexant намерена начать комплект ИС трансивера, в ко входной точки перехвата треть тота отсечки превышает 70 ГГц массовое производство семей торый вошел SiGe БиКМОПчип его порядка усилителя и тока (при токе 450 мкА частота от ства маломощных ВЧ SiGe ВЧблока с усилителем мощно смещения преобразователя ча сечки все еще больше 60 ГГц). БиКМОП ИС с размерами эле сти и малошумящим усилите стоты используется внешний Технология фирмы предусмат ментов 0,35мкм. Малая по лем и биполярная SiGe ИС при резистор. Параметры устройст ривает и формирование эле требляемая мощность достиг емопередатчика с электронным ва отвечают требованиям стан мента индуктивности с Q не нута за счет отработки процес тюнером, демодулятором, сме дарта IS95 на сотовые CDMA менее 15 (для получения зна са эпитаксиального выращива сителем и полосовыми фильт системы связи. ИС RF2461 по чений добротности в диапазоне ния SiGeпленок и агрессивно рами. Наряду с ВЧтранзисто ставляется в корпусе типа 50–100 потребуется изготавли го масштабирования горизон рами ВЧблок содержит до 50 LPCC20 размером 4х4 мм по вать пассивные элементы по тальных размеров биполярных пассивных компонентов (спи цене 1,87 долл. при закупке сле формирования основной транзисторов. Технологический ральных элементов индуктив ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2/2000 24
(SFDR – spuriousfree dynamic простое включение изделие,
range) 100 дБ и отношением состоящее из комплекта GPS
сигнал/шум 75 дБ. DSP в соче ИС и всех вспомогательных
тании с таким преобразовате компонентов, необходимых
лем сможет отделять помехи от для такой системы (рис.4). Это
полезного сигнала без управля – первая промышленная мо
емых напряжением генерато дель GPSприемника с прямым
ров, синтезаторов, смесителей преобразованием ВЧсигнала.
и других преобразователей час Принимаемый усилителем сиг
тоты (рис.3). Пока архитектура нал GPSстанции на частоте
таких приемников с прямым 1,5 ГГц непосредственно пре
Рис. 3. Появление быстродействующих АЦП с высокими преобразованием частоты образуется высокопроизводи
разрешением, линейностью и широким динамическим диапазоном сложна, пропускная способ тельным АЦП в цифровую фор
позволяет создать аналоговый входной ВЧ&блок soft&приемников ность их ограничена нелинейно му, минуя каскады преобразо
на базе сигнальных процессоров
стями второго порядка, изза вания с понижением частоты
ности, конденсаторов с диэлек А что же нового у “первоот чего до последнего времени или каскад промежуточной час
триком из нитрида кремния и крывателя” SiGeтехнологии – они находили применение лишь тоты. Это позволило исключить
полкриемниевых резисторов). фирмы IBM? Успехи в области в трансиверах сотовых телефо несколько гетеродинов, управ
На рынке аналоговых SiGe разработки процессоров циф нов. Универсальные softприем ляемых напряжением генерато
устройств появилось и новое ровой обработки сигнала (DSP) ники – провозвестники эпохи ров, устройств ФАПЧ и фильт
имя – канадская фирма Philsar и создания быстродействующих программируемых трансиверов, ров (фильтры обычно занимают
Semiconductor. Учитывая рас аналогоцифровых и цифроана способных благодаря возмож 30% площади кристалла при
тущую популярность стандарта логовых преобразователей с ности перепрограммирования емника). Единственный допол
беспроводной связи на малые высоким разрешением, хоро поддерживать многочисленные нительный элемент в схеме –
расстояния Bluetooth, здесь со шей линейностью и широким стандарты аналоговых и цифро полосовой фильтр. Секция ци
здан трансивер типа РН2401 динамическим диапазоном на вых сотовых систем. фровой обработки сигнала
для сетей этого стандарта. Чип высоких частотах стимулируют И сегодня уже можно гово спроектирована так, чтобы не
ASICтипа выполнен по 0,5мкм создание универсальных про рить о появлении первого soft вносить помехи во входной
SiGe БиКМОПтехнологии. Его граммноперестраиваемых приемника. В ноябре 1999 года блок, благодаря чему ВЧчип
рабочее напряжение равно (soft) радиоприемников доста IBM объявила о создании “ре может размещаться на рассто
1,8 В (возможен вариант на точной мощности для обслужи волюционного” приемника для янии 1 мм от цифрового. Кро
напряжение 1,2 В). Потребляе вания всех каналов в широкой GPSсистем – результате двух ме того, для уменьшения зна
мая мощность не превышает полосе частот. Уже создан 14 летних работ совместно с ком чений паразитных электричес
20 мВт. Трансивер обеспечива разрядный АЦП с частотой дис паниями Leica GeoSystems и ких параметров фирма монти
ет выходную мощность от 30 кретизации 65 Мвыборок/с, Sierra Monolithics. Новый 12ка рует чипы приемника на деше
до 4 дБм, или от 30 до 0 дБм свободным от паразитных по нальный приемник – перспек вую подложку из органического
при дальности передачи 10 м. мех динамическим диапазоном тивное, ориентированное на материала низкотемператур
Для работы в соответствии с
требованиями Bluetoothстан
дарта версия 1.0 (выходная
мощность от 30 до 20 дБм,
дальность передачи 100 м) не
обходим внешний усилитель
мощности. В чип входят управ
ляемый напряжением генера
тор, синтезатор, усилитель
мощности, малошумящий уси
литель, фильтры ПЧ, индикатор
интенсивности принимаемого
сигнала и ограничитель по би
там (рис. 2). Чувствительность
приемника составляет 84 дБм,
что на 20% превышает требова
ния спецификации, интенсив
ность отказа по битам – 0,1%.
Поставка опытных образцов
планировалась на конец перво
го квартала 2000 года. Цена
трансивера при покупке боль
шой партии менее 5 долларов. Рис. 4. Блок&диаграмма приемника GPS&системы
25 ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2/2000ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ
ным flipchipметодом. Размер отсечки транзисторов 45 ГГц , Учеными Стенфордского готовлении по 0,35мкм техно
приемника с входным SiGe ВЧ напряжение пробоя – 20 В. На университета создан КМОП логии аналоговых КМОПсхем,
блоком прямого преобразова частоте 900 МГц выходная усилитель с распределенными работающих при напряжении
ния, низкошумящим SiGeуси мощность усилителя равна 23 параметрами. Его выходная питания 3,5 В, проблемы не
лителем и КМОПспециализи дБм, коэффициент усиления – мощность составляет 90 мВт, возникают, поскольку напряже
рованным чипом на базе встро 16 дБ и КПД – 49%. Усилитель частота отсечки – 13 ГГц. А вы ние насыщения стока все еще
енного ядра 401PowerPC ра занимает площадь 3х2 мм. ходная мощность усилителя, достаточно велико (около 350
вен всего 19х19 мм, т.е. мень Но помимо SiGe ИС, конеч разработанного в Универси мВ). При переходе к 0,25мкм
ше чипов сигнальных процес но, не прекращаются разработ тете шт. Орегон и нормам и напряжению 2,5 В
соров большинства конкурен ки кремниевых КМОПаналого изготовленного по 0,6мкм эти проблемы в ряде случаев
тов фирмы. вых ВЧ ИС. И здесь основная КМОПтехнологии, равна 85 уже могут возникнуть, а при
Но пока созданию ИС тран движущая сила – возможность мВт на частоте 900 МГц при 0,18мкм и 1,7 В встречаются
сивера препятствует трудность снижения стоимости и напря КПД 55% и напряжении 3 В. серьезные затруднения. При
интеграции усилителей мощно жения. В этой связи нельзя не Но особое внимание сейчас напряжении насыщения стока
сти. Это связано с высокими отметить работу специалистов привлекает анализ широкопо 150 мВ получить требуемые ха
требованиями, предъявляемы Лаборатории энергетики фир лосных аналоговых ИС, изго рактеристики уже невозможно.
ми к их выходной мощности, мы NTT Telecommunications, тавливаемых по технологии ци Как подвел итоги этой пробле
КПД, усилению, линейности, представленную на ISSCC 2000 фровых КМОПсхем. Уменьше ме Джим Кворфут из фирмы
возможности работы при низ года. Ими созданы ВЧблоки 2 ние геометрии элементов Texas Instruments, “умные ма
ких значениях напряжения. Уче ГГц приемника, работающие КМОП ИС приводит к сниже лые, занимающиеся разработ
ным Университета науки и при напряжении 0,5 В. Эти нию запаса по напряжению, кой цифровых ИС, считают за
технологии Гонконга уда блоки – малошумящий усили требуемого для предотвраще дачу интеграции простой и лег
лось создать интегрированный тель, преобразователь с пони ния насыщения КМОПтранзис ко решаемой. Пора комуто за
усилитель мощности на базе жением частоты и управляемый торов. Малое напряжение пита говорить о проблемах проекти
горизонтальных МОПтранзис напряжением генератор – из ния вызывает проблемы, по рования аналоговых уст
торов, изготавливаемых мето готовлены по 0,2мкм SIMOX скольку напряжение насыщения ройств”.
дом двойной диффузии по технологии, являющейся одним стока должно быть большим.
КНИтехнологии, и высокодоб из вариантов тонкопленочной Другими словами, с понижени A Supplement to Electronic
ротных элементов индуктивнос КНИтехнологии. Для обеспече ем напряжения питания ухуд Design, March 6, 2000.
ти, выполненных на одном ния работы при столь низком шаются быстродействие и точ Electronic Design, Jan.10, 2000.
кристалле с усилителем. Длина напряжении использовались ность таких схем смешанной RF Globalnet: Virtual communi
канала МОПтранзисторов, свернутая ячейка Гильберта, уп обработки сигнала, как АЦП. ty for the Wireless Microwave
создаваемых по 1,5мкм техно равляемая LCцепочкой, и неле Увеличиваются шумы, перекре and RF Industry.
логии – 0,35 мм, длина дрейфа гированные МОПтранзисторы в стные помехи, затрудняется со MicroNews, 2000, v.6, N1.
носителей – 3,85 мм. Частота ядре генератора и буферов. гласование приборов. При из Electronic Business, Dec., 1999.
Пассивные компоненты и не только они
Лягушка превратилась в царевну
К пребывавшему долгое время в тени рынку пассивных компо 600), темпы прироста производства интегральных схем пассив
нентов наконец то прикоснулся Мидас. Продажи конденсато ных компонентов пока не велики, и в основном это – специали
ров, резисторов, соединителей и других пассивных компонен зированные устройства. Изготовители конечной продукции не
тов в 1999 году значительно возросли. Цены на эти изделия хотят зависеть от одного поставщика этих компонентов.
стабилизировались, сроки поставок (особенно конденсаторов Поэтому сейчас необходимо уделить больше внимания вопро
и резисторов в малогабаритных корпусах) удлиняются и даже сам стандартизации схем пассивных компонентов. Следует от
наблюдается дефицит некоторых компонентов. Основная при метить, что наибольшим спросом в ближайшее время будет
чина этого – стремительно растущий интерес потребителя к пользоваться танталовые и керамические конденсаторы, ПАВ
сотовой связи. Согласно прогнозам, отгрузки сотовых телефо фильтры и элементы индуктивности, сроки поставок которых
нов за период с 1999 по 2004 годы возрастут с 221,9 млн. до сейчас составляют от 20 до 35 недель.
508,8 млн. шт. А каждый сотовый телефон содержит сотни пас Растущий спрос на сотовые телефоны стимулирует увеличе
сивных устройств и еще больше их требуется в инфраструкту ние продаж не только пассивных компонентов. Начинает ощу
ре сотовой связи. Не сокращаются продажи персональных щаться нехватка дискретных полупроводниковых приборов,
компьютеров и автомобильной электроники, где также приме маломощных СОЗУ и высокоплотных схем флэш памяти. При
няется большое число пассивных компонентов. Такая ситуация, этом многие аналоговые устройства, устройства смешанной
по видимому, не изменится и к следующему году. Необходимо обработки сигнала и дискретные приборы изготавливаются по
учесть и тот факт, что к 2001 году новейшие сотовые телефоны 1 мкм и более топологическим нормам (в отличие от современ
будут обеспечивать доступ в сеть Интернет, а следовательно ных ИС для ПК, изготавливаемых по 0,25 мкм технологии). Это
владельцам старых образцов придется покупать новые. К тому говорит о возможности сохранения и даже увеличения заказов
же с увеличением функциональных возможностей новых изде изделий на некоторых устаревших производствах с полностью
лий растет и число используемых в них компонентов. амортизированным оборудованием по обработке 150 мм
Несмотря на большое число пассивных компонентов, пластин с 1,5 мкм нормами.
содержащихся в одном сотовом телефоне (в некоторых более Electronic News, 2000, Jan.31.
ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2/2000 26Вы также можете почитать
