О.В. ЛОСЕВ - ПИОНЕР ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
←
→
Транскрипция содержимого страницы
Если ваш браузер не отображает страницу правильно, пожалуйста, читайте содержимое страницы ниже
36 ИСТОРИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ
О.В. ЛОСЕВ – ПИОНЕР ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ
ЭЛЕКТРОНИКИ
(из истории изобретения светодиодов, "усилительных диодов" и транзисторов)
Е.В. Остроумова
Физико технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской Академии Наук
кристаллами (галенитом, пиритом, халькопиритом,
цинкитом и др.). В том же, 1906 году, американец Ли де
Форест изобретает вакуумный триод, который мог уси
ливать электромагнитные колебания и генерировать
их в амплитудномодулированной форме, что в
сочетании с кристаллическим детектором позволило
приступить к радиовещанию. Кристаллические детек
торы в эпоху зарождения радиовещания способство
вали его массовости. Детекторный приемник обеспе
чивал прием, используя лишь энергию высокочастот
ных колебаний из антенны, и был чрезвычайно прост в
изготовлении. Кристаллический детектор является
примером изобретения, сделанного "вовремя".
Хотя кристаллический детектор и был по существу
Остроумова Елена Владимировна – старший научный сот первым полупроводниковым прибором, но думается,
рудник ФТИ им А.Ф. Иоффе, канд. физ. мат. наук. Область что время зарождения полупроводниковой электрони
научных интересов: ИК спектроскопия поверхности ки следует отсчитывать от момента создания полупро
полупроводников, квантовые явления на поверхности в
сверхсильных электрических полях в структурах водниковых приборов, могущих не только обнаружи
полупроводник диэлектрик. вать, но и усиливать и генерировать электромагнитные
колебания. Человеком, сделавшим этот чрезвычайно
В 192030 годах техника и наука претерпевали неве важный шаг, был замечательный изобретатель и
роятно быстрое развитие. Уже была построена теория ученый Олег Владимирович Лосев. Его удивительные
относительности, создавалась квантовая теория твер открытия (усиление и генерация электромагнитных
дых тел, развивалось и совершенствовалось радиове колебаний полупроводниковыми устройствами –
щание и зарождалась электроника. Трудно назвать
другую область современной науки и техники, которая
оказывала бы сейчас столь же сильное воздействие на
развитие экономики и науки, как полупроводниковая
электроника. В 1960е годы полупроводниковые элект
ронные приборы произвели подлинную революцию в
технике связи и в вычислительной технике и положили
начало бурному развитию полупроводниковой микро
электроники. Можно без преувеличения утверждать,
что современная вычислительная техника в той же
мере увеличила интеллектуальное могущество чело
века, как в XIX веке овладение энергией пара увеличи
ло физическую силу человека. Отныне экономическая
и военная мощь государства в существенной мере
определяется степенью владения полупроводниковой
технологией.
Первыми полупроводниковыми электронными при
борами стали кристаллические детекторы электромаг
нитных колебаний (Пиккард, 1906), которые пришли
на смену когереру, использованному А.С. Поповым в
первом в мире радиоприемнике в 1894 г. В качестве
кристаллического детектора Пиккард использовал ку
сочек кремния, находящегося в контакте с металличес
кой проволокой. Примерно в то же время выясняется,
что свойством детектировать (выпрямлять) высокочас
тотные колебания обладает и контакт металлической
проволочки со многими другими плохо проводящими
Олег Владимирович Лосев (1903 1942)ИСТОРИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ 37
1921 г., электролюминесценция в полупроводниках – оказались столь стабильными, что, изменяя напряже
1923 г.) намного опередили свое время и были практи ние на контакте и устанавливая его в области значе
чески забыты ко времени начала бурного развития ний, чуть меньше напряжения начала генерации, Лосе
полупроводниковой электроники, последовавшего за ву удалось получить значительное усиление электри
изобретением транзистора. ческих колебаний, не сопровождающееся сколько
Литература о Лосеве немногочисленна. В 1972 г. нибудь значительными шумами [1].
был издан сборник научных трудов О.В. Лосева с Далее, в первой статье о детекторегенераторе
наиболее полным описанием его биографии [3], а в Лосев пишет: "Точка кристалла, на которой получа
1976 г. в журнале IEEE Transaction Electron Devices лись колебания, совершенно другая, чем та, на которой
появляется статья известного американского физика, происходило наилучшее детектирование без прило
профессора Стэнфордского университета Игона женного извне напряжения". О.В. Лосев установил,
Лобнера (Egon Loebner), в то время атташе США по что усиление или генерацию при помощи двухполюс
науке в Москве, в которой изложена история развития ника (детектора, лампы и др.) возможно получить толь
светодиодов [4]. Позднее, в 1983 и 1986 гг. А.А. ко в том случае, если он при определенных условиях
Рогачевым (в 1986 г. совместно с А.Г. Остроумовым) обладает "падающей" вольтамперной характеристикой
[5,6], был сделан анализ трудов О.В. Лосева с точки — отрицательным сопротивлением (рис.1) (т.е. паде
зрения современной физики полупроводников. Далее, ние напряжения на этом участке приводит к возрас
как и в начале, цитируются эти работы [5,6]. танию тока). Режим усиления или генерации
Олег Владимирович Лосев родился в 10 мая 1903 г. детектора определяется выбором тока и напряжения
в Твери в семье конторского служащего. До 1920 г. на участке отрицательного сопротивления. При после
Лосев учился в реальном училище в Твери. Много вре довательном включении детектора с отрицательным
мени юный Лосев проводил на Тверской радиостанции сопротивлением и нагрузки он служит усилителем
Русской Армии. В то время, а шла Первая Мировая напряжения, при параллельном — усилителем тока.
война, на Тверской радиостанции работала небольшая Впоследствии этот детектор получил название
группа патриотически настроенных офицеров, кото "кристадин". Лосев приводит схемы приемников, в
рые под руководством В.М. Лещинского и его ближай которых изобретенный им кристадин применялся для
шего помощника М.А. БончБруевича пытались не усиления как высокочастотных, так и звуковых
только изготавливать, но и усовершенствовать прием колебаний. О.В. Лосеву удалось получить 15кратное
ную аппаратуру. Так, в составе Тверской радиостанции усиление сигнала в головных телефонах (наушниках)
создалась внештатная Радиолаборатория, коллектив по сравнению с обычным детекторным приемником.
которой в августе 1918г. стал основой замечательного Радиолюбители, высоко оценившие изобретение
учреждения – Нижегородской Радиолаборатории Лосева, писали в НРЛ, что при помощи цинкитного
(НРЛ). Работы этой лаборатории стали впоследствии детектора в Томске, например, можно слышать
гордостью нашей радиотехники. Москву, Нижний, а также и заграничные станции
Вернемся, однако, к биографии О.В. Лосева. Его Лион, Ганновер и ряд других.
школьным учителем был В.Л. Лёвшин, впоследствии – В 1923 г. НРЛ посещают немецкие радиотехники А.
сотрудник лаборатории С.И. Вавилова, известный Арко и А.Мейснер. В журнале ТиТбп ("Телеграфия и
своими работами по люминесценции кристаллов. В том Телефония без проводов", 22, (1923)) есть сообщение
же году Лосев уезжает в Москву и поступает в Мос о том, что детекторный генератор произвел на них
ковский институт связи. Но учиться в институте ему впечатление такой новизны, соединенной с простотой,
было не суждено. В сентябре 1920 г. в Москве прохо что они искали объяснения возможности появления
дил первый Российский радиотехнический съезд, пос такого прибора только в молодости талантливого изо
ле которого Лосев принимает решение оставить инсти бретателя. А в журнале "Radio News" за 1924 г.
тут и уехать в Нижний Новгород, чтобы работать в появилась редакторская статья под названием "Сенса
Нижегородской Радиолаборатории, куда к тому вре ционное изобретение", автор которой пророчески
мени перебрались многие сотрудники Тверской назвал кристадин "изобретением, делающим эпоху". В
радиостанции. В окружении блестящих специалистов том же 1924 г. в журнале "RadioRevue" публикуется
(проф. В.К. Лебединский, В.М. Лещинский, М.А. статья , в которой "прибор признается сенсационным,
БончБруевич) Лосев мог продолжать свое образо и там же впервые ему дается название "кристадин".
вание, совмещая с интересовавшей его работой. И уже У современников не вызывало сомнений, что О.В.
в 1921 г., когда О.В. Лосеву едва исполнилось 18 лет, Лосев изобрел принципиально новый и полезный при
послана в печать его первая научная статья "О магнит
ных усилителях". В том же, 1921 г., исследуя вольтам
перные характеристики кристаллических цинкитных
(ZnO) детекторов, Лосев наблюдает участки отрица
тельного сопротивления и на "научнотехнической
беседе лаборатории" сообщает об открытии генерации
и усиления электромагнитных колебаний на контакте
металла с кристаллом окиси цинка при пропускании
через него электрического тока. О.В. Лосеву удалось
установить, что детектор из цинкита дает устойчивые
колебания при приложении к нему напряжения менее Рис.1. Типичная вольтамперная характеристика цинкитного
10 вольт. Электрические характеристики контакта детектора в генерирующей точке [1].38 ИСТОРИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ
Рис.2. Вольтамперная характеристика с отрицательным Рис.3. Энергетическая схема МДП структуры с туннельно
сопротивлением в обратной ветви [2]. прозрачным слоем диэлектрика и с поверхностными уровнями
на границе раздела [7]
бор. Однако ясно и то, что без дальнейшего совер зи контакта с металлом зоны загибаются вверх. Это
шенствования применение его было ограничено. согласуется с тем, что для наблюдения обратной ветви
Кристадин явно проигрывал соревнование с радиолам ВАХ к металлическому электроду должен быть прило
пами, которые в то время быстро совершенствовались. жен "минус", т.е. так, как и в опытах Лосева. Далее,
Кристадин был двухэлектродным устройством, что напряжение "отсечки" диода значительно меньше ши
практически исключало создание на его основе много рины запрещенной зоны окиси цинка (Eg=3.2 эВ), что
каскадных усилителей и приемников, содержащих также типично для диодов Шоттки.
более чем два кристадина. Кристадин обладал многими Пожалуй, единственный известный до сих пор
преимуществами по сравнению с вакуумными радио механизм возникновения отрицательного сопротив
лампами, но в отличие от радиоламп он все еще оста ления в обратной ветви МДПдиода был предложен в
вался "вещью в себе". Ко времени изобретения криста 1968 г. в работе [7], выполненной на кремнии. Для
дина практически отсутствовали какиелибо этого механизма существенным является наличие
теоретические представления, объясняющие природу туннельнотонкого слоя диэлектрика (окисла), разде
выпрямляющего действия промежутка металлическое ляющего металл и полупроводник (для кристалла ZnO
остриеконтакт. Для объяснения протекающих в нем это будет естественный поверхностный слой, отлич
процессов потребовалось создание физических ный по составу от ZnO). Рис.3 поясняет сущность
теорий, о которых в 1922 г. никто не мог иметь ни этого механизма. В сильном электрическом поле
малейшего представления. Фактически, в том, каковы электроны, захваченные на поверхностные состояния
причины возникновения отрицательного сопротивле на границе окиселполупроводник, освобождаются за
ния в полупроводниковых диодах, удалось разобраться счет туннельных переходов в зону проводимости полу
лишь через тридцать лет. Выяснение природы про проводника, оставляя избыточный положительный
цессов в чудесном кристалле, который он держал в заряд на поверхности. Поле этого положительного за
руках, стало целью жизни Лосева. Современники вспо ряда создает небольшое падение потенциала в проме
минали, что работа в лаборатории была его жуточном слое окисла между полупроводником и
единственным увлечением, ей он отдавал себя всего металлом, что приводит к понижению потенциального
без остатка. Его не тяготили ни условия, в которых он барьера для электронов, выходящих из металла в
жил, а жил он в лаборатории у входа на чердак, ни полупроводник.
должность рассыльного, на которую он был зачислен в В качестве одной из возможных причин возникно
штат лаборатории. Талант экспериментатора, который вения падающей вольтамперной характеристики
позволил ему выделить цинкитный детектор из всех цинкитного детектора О.В. Лосев рассматривал воз
известных тогда кристаллических детекторов, а иссле можность появления микроскопических электричес
довал он не одну дюжину контактов (цинкит, галенит, ких разрядов на границе металлического острия и
PbS, пирит FeS, халькопирит CuFeS2, карборунд SiC, кристалла. Лосев искал и действительно нашел харак
молибденовый блеск MoS, оловянный камень SnO2, с терное свечение, возникавшее при пропускании тока
цинковыми, медными, алюминиевыми, угольными и др. через детектор. Но для этого ему пришлось просмот
проволочками), позволил ему сделать следующее, еще реть разные кристаллы, и только в детекторах из карбо
более замечательное открытие – свечение карборундо рунда (SiC) наблюдалось интенсивное зеленоватое
вого детектора [2]. Но об этом чуть позже. свечение, однако в нем не удалось получить генерацию
Что же всетаки представляет собой кристадин с электрических колебаний. Цинкитный детектор либо
позиций современной физики? В настоящее время из не светился совсем, либо показывал очень слабое све
вестно несколько полупроводниковых диодов, чение. И здесь начинается самая блестящая страница
вольтамперные характеристики которых имеют об его открытий. Исследуя свечение кристаллических
ласть статического или динамического отрицательного детекторов, изготовленных из карбида кремния,
сопротивления. Это – диод Ганна, ЛПД диоды, диоды с О.В. Лосев установил, что свечение является холод
толстой базой и поверхностнобарьерные диоды с ным, не связано с нагреванием кристалла или метал
туннельнотонким слоем окисла. Исходя из вида лического электрода, как тогда считалось; свечение
вольтамперных характеристик, которые опубликованы происходит внутри кристалла, а не на его поверхности
Лосевым (например, рис.2 [2]), можно сделать вывод, и характер свечения сильно зависит от полярности
что участок с отрицательным дифференциальным приложенного напряжения [8]. Лосев различает два
сопротивлением наблюдается в обратной ветви. Окись типа излучения: свечение I и свечение II. Приведенное
цинка, как известно, имеет проводимость только им описание позволяет отождествить свечение I с тем,
nтипа, поэтому в поверхностнобарьерном диоде вбли что теперь называется предпробойным свечением, аИСТОРИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ 39
прибором. Наряду с малой инерционностью он обладал
и довольно большой яркостью. Современные оценки
показали, что при токе через диод 0.1 А, КПД преоб
разования должен был быть примерно в 10 раз меньше,
чем у современных светодиодов из карбида кремния.
Спустя почти 20 лет явление возникновения свече
ния при протекании тока в кристаллах вновь было "от
крыто" в Америке, но не в карборунде, а в некоторых
кристаллофосфорах известным французским ученым
Дестрио (G. Destriau), который назвал это явление
Рис.4 Вольтамперная характеристика светящегося "электролюминесценцией". Дестрио, однако, с самого
контакта карборунд металл. начала отметил приоритет Лосева, и свечение карбо
1 прямая ветвь, 2 обратная. Стрелками показаны значения
рунда в Америке получило название "Losevlight".
тока, при котором свечение становится заметным глазом [8].
В процессе исследования природы свечения карбо
свечение II – с инжекционной люминесценцией полу рундового детектора О.В. Лосев сделал еще два весьма
проводника. Лосев обнаружил, что свечение II возни важных наблюдения. Так, он обнаружил свечение и
кает лишь в кристаллах, имеющих на поверхности выпрямление на границе электролита с некоторыми
зеленого карборунда слои серого цвета, причем свече полупроводниками. В другом случае он был чрезвычай
ние локализуется вблизи границы этих слоев. но близок к открытию транзистора. Исследуя измене
Впоследствии, проводя измерения с помощью микро ние сопротивления активного слоя карборундового
термозонда, он определил, что серый карборунд имеет детектора при приложении напряжения в прямом
проводимость дырочного типа, а зеленый— электрон направлении ("при возбуждении свечения II"), он обна
ного. Таким образом, созданное им устройство было ружил, что при пропускании тока между острием и
первым полупроводниковым светодиодом. На рис.4 кристаллом изменяется сопротивление между двумя
приведена ВАХ, полученная Лосевым для светящегося другими остриями, расположенными поблизости от
контакта карборундметалл. первого острия. Как известно, транзисторное действие
Важным для выяснения природы свечения II яви состоит в том, что изменение сопротивления, вызван
лось сделанное Лосевым наблюдение, что это свечение ное пропусканием тока через пару контактов, приво
идентично свечению, возникающему при бомбардиров дит к изменению сопротивления между другой парой
ке карборунда электронами при разряде в трубке контактов. Однако сущность транзисторного действия
Крукса. Сопоставление спектров фотолюминесценции состоит в усилении сигнала, но в опытах Лосева усиле
и катодолюминесценции со спектрами инжекционной ние не было получено. Карбид кремния был наименее
люминесценции является и теперь стандартным подходящим материалом для таких целей. При более
приемом при исследовании физической природы удачном выборе материала (галенит, германий, крем
электролюминесценции. Лосев полагал, что это свече ний) в той геометрии образца получение транзистор
ние есть результат тормозного излучения электронов, ного усиления могло быть возможным. Этот пример
ускоренных сильным электрическим полем в области показывает, сколь многообещающими были исследо
пониженной проводимости вблизи контакта. Этот вы вания О.В. Лосева.
вод он делает на основе того, что положение границы в Работы О.В. Лосева по исследованию полупровод
спектрах излучения определяется соотношением ников прибрели в то время широкую известность. Его
h =eV, где Vнапряжение, приложенное к высокоом работы печатались в таких журналах, как "Вестник
ному слою. Эта точка зрения возникла из аналогии с Электротехники", "ЖЭТФ", "Доклады АН СССР",
источниками рентгеновского излучения. Он считает, RadioRevue, Philosophical Magazine, Physikalische
что излучение, возникшее при пропускании тока, есть Zeitschrift и др. Он выступал с докладами на многих
явление, обратное фотоэлектрическому эффекту. Ло всесоюзных конференциях, его работы были премиро
сев предполагает и экспериментально устанавливает, ваны Комиссией Наркомпроса.
что инерционность излучения отсутствует вплоть до После переезда НРЛ в Ленинград в 1929 г. и преоб
частоты 78.5 кГц. разования ее в Центральную Радиолабораторию у
В настоящее время известно, что излучение полу О.В. Лосева появляется больше возможностей для
проводниковых диодов является результатом излуча исследований. Он часто бывает в ЛФТИ, по пригла
тельных переходов между зоной проводимости и шению А.Ф. Иоффе проводит там некоторые опыты, в
валентной зоной, или переходов между одной из зон и частности, снимает спектры излучения SiCдиодов.
примесными центрами в запрещенной зоне. В рамках Одно время в ЛФТИ у него даже было свое собствен
современных представлений наблюдавшуюся экспери ное рабочее место, но закрепиться в штате ЛФТИ ему
ментально зависимость положения голубой границы не удалось. Проработав некоторое время в институте
спектра следует объяснить тем, что кристаллы, кото 9 (теперешний "Позитрон"), он уходит ассистентом
рыми пользовался Лосев, содержали большое коли на кафедру физики в 1ый Мединститут. С 1935 по
чество примесных центров (кристаллы карборунда 1940 гг. О.В. Лосев не опубликовал ни одной научной
брались Лосевым из отходов абразивного производст работы. Служебное положение его осложнялось от
ва), а наблюдаемое им излучение было обусловлено сутствием у него диплома о высшем образовании. Но в
оптическими переходами зонапримесь. то время практиковалось присуждение ученой степени
Светодиод, даже в том виде, как он был исполнен по совокупности работ без защиты диссертации.
О.В. Лосевым в 1926 году, был замечательным Друзья уговорили его представить в Ученый совет40 ИСТОРИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ
триоды
ПРИБОРЫ
ВАКУУМНЫЕ
термионы (DE FOREST)
диоды (ламповые)
(FLEMING)
холодный катод
(CROOKE)
ПРИБОРЫ
РИЧЕСКИЕ ЧЕСКИЕ
ДИЭЛЕКТ МЕТАЛЛИ
конденсаторы
электролюминесцентные ячейки
(DESTRIAU)
провода
ПРОВОД
волноводы
НИКИ
телеграфные и телефонные линии
линии передачи
ления
сопротив
фотопроводники
П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Е
(SMITH)
термисторы
селен
мощные
выпрями закись меди
тели GaP
фотоэлементы GaAsP
GaAs
диоды
SiC светодиоды SiC
(ЛОСЕВ)
Ge
SiC светодиоды Si
(ROUND) приемники
ZnO генераторы
(ЛОСЕВ)
ZnO усилители
(ЛОСЕВ) Si, Ge точечный контакт
П Р И Б О Р Ы
Si точечный контакт pn переход
МИРОВАЯ ВОЙНА
ВТОРАЯ
4 слойный диод
МИРОВАЯ ВОЙНА
ПЕРВАЯ
транзисторы
pn переход (SHOCLEY)
точечный контакт
(BRATTAIN &
BARDEEN)
СХЕМЫ
РАЛЬНЫЕ
ИНТЕГ
ИС
ЭПОХА РАДИО ЭПОХА ТВ ЭПОХА ЭВМ
Рис. 5. Схема, дающая представление о моменте появления и этапах эволюции различных электронных приборов. Видно, что
О.В. Лосев является родоначальником трех типов полупроводниковых приборов. Бурное развитие одного из них продолжается и в
наши дни.
Индустриального Института (ЛПИ им. М.И. Калинина так и не увидела свет, она затерялась при пересылке в
– СПбГТУ) наиболее важные работы. И вот 2 июля редакцию ЖЭТФ в Казани. Истощенный О.В. Лосев,
1938 г. на Ученом совете института Лосеву О.В. была оставаясь в блокадном Ленинграде, разделил участь
присуждена ученая степень кандидата физикоматема многих ленинградцев – 22 января 1942 г. его не стало.
тических наук без защиты диссертации. Это было В 1948 году после изобретения транзистора
заслуженным итогом многолетней плодотворной науч начался период бурного развития полупроводниковой
ной работы. электроники. Разновидности полупроводниковых дио
Постепенно условия работы Лосева налаживаются. дов, имеющих падающий участок вольтамперной ха
В 19401941 гг. он занимается вентильным фотоэффек рактеристики, и сейчас довольно широко применяются
том в карборундовых фотоэлементах. Но начавшаяся в полупроводниках. И в настоящее время эти диоды
Великая Отечественная война нарушила научную дея лучше полупроводниковых транзисторов (как бипо
тельность Лосева. Он не эвакуировался из Ленингра лярных, так и полевых) для усиления и генерации СВЧ
да, стремясь закончить работу по фотопроводимости в колебаний, а также в сверхбыстрых переключателях.
сплавах кремния. Он успевает ее закончить, но работа Однако основой полупроводниковой электроники окаИСТОРИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ 41
зался транзистор. Не вызывает сомнений, что если бы foreigners mistook the 22 year old Losev for a professor.
транзистор не был изобретен в 1948 г. Бардиным и To me, irrespective of his age, Losev's papers are indistin
Браттейном, то его с небольшим опозданием изобрел guishable from those of a mature, experienced, and skillful
бы ктонибудь другой, так как к тому времени все науч experimental device physicist, even though he never re
ные предпосылки для такого изобретения уже давно ceived a formal education. In my view, the granting him a
существовали. В этом есть и огромная заслуга талант "Candidate" degree ( Ph.D. equivalent) without a formal
ливого русского изобретателя и исследователя О.В. thesis by Ioffe's Institute in 1938 was not an act of mercy.
Лосева. В полной мере значение работ О.В. Лосева, их It enabled him to return to laboratory work after a five
новизна и революционность стали ясны только в 50е year "exile" of unproductive physics teachung in a medical
годы. school.
А вот что писал о О.В. Лосеве А.Ф. Иоффе в 1950х In same cases his experimental work was up to 40
годах [9]. years ahead of his time. His research was so exact and his
"Явление падающей характеристики было открыто publications so clear that one has little difficulty determin
еще в 1922 г. О.В. Лосевым на контакте стальной про ing today what he actually did in his laboratory then. His
волочки с кристаллом цинкита и некоторых других ма intuitive choice and design of experiments was simply as
териалов. Такой прибор был им назван кристадином. tonishing."
Явление это не исчезало и на высокой частоте, так что О.В. Лосевым опубликовано 48 научных работ и
кристадин обладал всеми свойствами регенеративного патентов.
лампового приемника. Кристадиновые приемники по
лучили значительное распространение у радиолюби Литература
телей"
"Впрочем, и в вопросе о значении P N границы 1. О.В. Лосев, "Детекторгенератор, детектор
приоритет принадлежит тому же О.В. Лосеву, который усилитель", ТиТбп, 14, 374, (1922).
в последние годы своей жизни (19381939) изучал 2. О.В. Лосев, "Дальнейшее исследование процессов
видимые на глаз прослойки карборунда с противопо в генерирующем контакте", ТиТбп, 26, 404,
ложным механизмом проводимости. Пропуская ток (1924).
сквозь образующиеся здесь запорные слои, Лосев 3. А.Г. Остроумов, "Олег Владимирович Лосев" в сб.
наблюдал видимое свечение и смог установить пра "У истоков полупроводниковой техники "
вильное квантовое соотношение между частотой (Л.: Наука, 1972), с.175.
испускаемого света и энергией электрона при прохож 4. Egon E. Loebner, "Subhistories of the Light Emitting
дении им разности потенциалов V на запорном слое: Diodes", IEEE Transaction Electron Devices ED23,
h =eV. ...Таким образом, О.В. Лосев не только подме 7, 675 (1976)
тил выпрямление на границе между P и карборундом, 5. А.А. Рогачев, "Первые шаги полупроводниковой
но и открыл и, повидимому правильно объяснил электроники", в кн. "Новые научные направления
свечение при прохождении тока через границу. Откры и общество" (М.Л.: Изд. АН СССР,1983).
тие Лосева было недавно вновь подтверждено в США." 6. А.Г. Остроумов, А.А. Рогачев, "О.В. Лосев
Egon Loebner в 1976 г. в статье "Subhistories of the пионер полупроводниковой электроники", в кн.
Light Emitting Diodes" [4] писал: "Физика. Проблемы, история, люди." (Л.: Наука,
"Light emission from a silicon carbide diode was redis 1986), с.183.
covered in 1922 in the Soviet Union by Oleg V. Losev. The 7. Б.С. Муравский, В.И. Кузнецов, " Холодная
diode was not an ordinary crystal detector diode, but one эмиссия с поверхностных состояний и
sample from a large population of highfrequency oscillat отрицательное сопротивление в контакте
ing and amplifying zinc oxide and silicon carbide detector металлполупроводник.", в кн.: "Некоторые
diodes. вопросы общей и теоретической физики и
Working under the personal tutelage of Professor математики", Науч. тр., 98, (Краснодар,
Vladimir K. Lebedinskiy, Losev had made a major discov КГПИ,1968), с.272.
8. О.В. Лосев, "Светящийся карборундовый детектор
ery which led to ten patents and sixteen papers of which he
и детектирование с кристаллами" , ТиТбп, 5 (44),
was sole author. He himself built over 50 radio receivers,
с.485.
incorporating his own tuning, heterodyning, and fre
9. А.Ф. Иоффе, "Физика полупроводников"
quency converting circuits. There can be little doubt that
(М.Л.: Изд. АН СССР, 1957), с.268.
this production line of "cristadyne" radio receivers, pow
ered by 12V batteries, represents a thirtyyears start over
the transistor radio.
Between 1927 and his death in 1942, he published 16
papers and obtained 4 patents on LED's photodiodes and
optical recorders of high frequency signals. His experi
mental methodology is fundamentally the same as that
which we used in our own work at RCA Laboratories in
1958 and 1959 on solution grown single crystals of GaP,
in order to separate and identify light emission from for
ward and reverse biased LED's in IIIV compounds.
I do not share the often quoted humor of N.A. Nikitin,
L.N. Saltykov, and other who thought it very funny thatВы также можете почитать
